Godkända
Vertical Heterostructure III-V Nanowire MOSFETs
Adam Jönsson ()
Start
2016-01-11
Presentation
2016-08-31
Plats:
Avslutat:
2016-08-31
Examensrapport:
Sammanfattning
Detta examensarbete syftar till att utveckla teknologi för vertikala nanotrådstransistorer med hög genombrottsspänning. Teknologin bygger på att ändra och Optimera materialet I kanalen, tex genom introduction av InGaAs I InAs transistorer. Målet är att försöka nå 3 V genombrottsspänning. Studierna kommmer både att vara experimentella men även simulering/design kan ingå. Ingående moment: - Litteraturstudie (jan-feb) - Träning och utbildning I processteknik vid Lunds NanoLab (jan-april) - Utveckling av ett process steg (gate-last för InGaAs transistorer, feb-april) - Tillverking av InGaAs nanowire FETs (mars-april) - RF-karakterisering (april-maj) - Rapportskrivning (april-juni)
Handledare: Olli-Pekka Kilpi (EIT) och Lars-Erik Wernersson (EIT)
Examinator: Erik Lind (EIT)