EIT, Forskning, Vetenskaplig excellens, Mest citerade artiklar

Referens:

R. Timm, F. Alexander, M. Hjort, C. Thelander, E. Lind, J. N. Andersen, L. E. Wernersson, A. Mikkelsen:
Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al2O3 and HfO2
Applied Physics Letters, Vol. 97, pp. 132904-, 2010.

Title:

Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al2O3 and HfO2
Applied Physics Letters

Type:

article

Abstract:

Year:

2010

Senast uppdaterad:
Webbansvarig: Henrik Sjöland
Ansvarig utgivare: Prefekt

Institutionen för Elektro- och informationsteknik, LTH, Box 118, 221 00 Lund. Telefon: 046-222 00 00